MDD72-18N1B二极管

上海秦邦电子科技有限公司

主要参数
用来表示二极管的性能好坏和适用范围的技术指标，称为二极管的参数。不同类型的二极管有不同的特性参数。对初学者而言，必须了解以下几个主要参数：
1、整流电流IF
是指二极管长期连续工作时，允许通过的正向平均电流值，其值与PN结面积及外部散热条件等有关。因为电流通过管子时会使管芯发热，温度上升，温度**过容许限度（硅管为141左右，锗管为90左右）时，就会使管芯过热而损坏。所以在规定散热条件下，二极管使用中不要**过二极管整流电流值。例如，常用的IN4001－4007型锗二极管的额定正向工作电流为1A。
2、反向工作电压Udrm
加在二极管两端的反向电压高到一定值时，会将管子击穿，失去单向导电能力。为了保证使用安全，规定了反向工作电压值。例如，IN4001二极管反向耐压为50V，IN4007反向耐压为1000V。
3、反向电流Idrm
反向电流是指二极管在常温（25℃）和反向电压作用下，流过二极管的反向电流。反向电流越小，管子的单方向导电性能越好。值得注意的是反向电流与温度有着密切的关系，大约温度每升高10℃，反向电流增大一倍。例如2AP1型锗二极管，在25℃时反向电流若为250uA，温度升高到35℃，反向电流将上升到500uA，依此类推，在75℃时，它的反向电流已达8mA，不仅失去了单方向导电特性，还会使管子过热而损坏。又如，2CP10型硅二极管，25℃时反向电流仅为5uA，温度升高到75℃时，反向电流也不过160uA。故硅二极管比锗二极管在高温下具有较好的稳定性。
4.动态电阻Rd
二极管特性曲线静态工作点Q附近电压的变化与相应电流的变化量之比。
5工作频率Fm
Fm是二极管工作的上限频率。因二极管与PN结一样，其结电容由势垒电容组成。所以Fm的值主要取决于PN结结电容的大小。若是**过此值。则单向导电性将受影响。
6，电压温度系数αuz
αuz指温度每升高一摄氏度时的稳定电压的相对变化量。uz为6v左右的稳压二极管的温度稳定性较好
EUPEC二极管模块：DD Series－－－－ Diode / Diode Phase Control 双二极管模块
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DD98N25K
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DD171N16K
DD171N18K
DD175N28K
DD175N30K
DD175N32K
DD175N34K
DD231N20K
DD231N22K
DD231N24K
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DD260N18K
DD261N22K
DD261N24K
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DD285N04K
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DD435N28K
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DD435N40K
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晶体二极管为一个由p型半导体和n型半导体形成的pn结，在其界面处两侧形成空间电荷层，并建有自建电场。当不存在外加电压时，由于pn结两边载流子浓度差引起的扩散电流和自建电场引起的漂移电流相等而处于电平衡状态。当外界有正向电压偏置时，外界电场和自建电场的互相抑消作用使载流子的扩散电流增加引起了正向电流。当外界有反向电压偏置时，外界电场和自建电场进一步加强，形成在一定反向电压范围内与反向偏置电压值无关的反向饱和电流I0。当外加的反向电压高到一定程度时，pn结空间电荷层中的电场强度达到临界值产生载流子的倍增过程，产生大量电子空穴对，产生了数值很大的反向击穿电流，称为二极管的击穿现象。pn结的反向击穿有齐纳击穿和雪崩击穿之分
sirectifier二极管
二极管模块
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SDD36N16
SDD36N18
SDD36N08B
SDD36N12B
SDD36N14B
SDD36N16B
SDD36N18B
SDD60N08
SDD60N12
SDD60N14
SDD60N16
SDD60N18
SDD60N08B
SDD60N12B
SDD60N14B
SDD60N16B
SDD60N18B
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SDD70N12
SDD70N14
SDD70N16
SDD70N18
SDD70N08B
SDD70N12B
SDD70N14B
SDD70N16B
SDD70N18B
SDD100N08
SDD100N12
SDD100N14
SDD100N16
SDD100N18
SDD100N08B
SDD100N12B
SDD100N14B
SDD100N16B
SDD100N18B
SDD120N08
SDD120N12
SDD120N14
SDD120N16
SDD120N18
SDD120N08B
SDD120N12B
SDD120N14B
SDD120N16B
SDD120N18B
SDD165N08
SDD165N12
SDD165N14
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SDD165N18
SDD165N08B
SDD165N12B
SDD165N14B
SDD165N16B
SDD165N18B
SDD190N08
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SDD190N16
SDD190N18
SDD190N08B
SDD190N12B
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SDD253N08
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SDD253N08BT
SDD253N12BT
SDD253N14BT
SDD253N16BT
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SDD320N12
SDD320N14
SDD320N16
SDD320N18
SDD320N08BT
SDD320N12BT
SDD320N14BT
SDD320N16BT
SDD320N18BT
SDD600N08BT
SDD600N14BT
SDD600N18BT
SDD600N16BT
SDD600N12BT
SDD500N16
SDD500N12
SDD250N16
SDD250N12
SDD181N16
SDD181N12
SDD27N16
SDD27N12
SDD18N16
SDD18N12
SDD800N18PT
SDD800N08PT
SDD800N12PT
SDD800N16PT
SDD800N14PT

雪崩击穿
另一种击穿为雪崩击穿。当反向电压增加到较大数值时，外加电场使电子漂移速度加快，从而与共价键中的价电子相碰撞，把价电子撞出共价键，产生新的电子-空穴对。新产生的电子-空穴被电场加速后又撞出其它价电子，载流子雪崩式地增加，致使电流急剧增加，这种击穿称为雪崩击穿。无论哪种击穿，若对其电流不加限制，都可能造成PN结*性损坏。
标准二极管模块
特点：
*JEDEC TO-240 AA 国际标准封装
*直接铜敷 Al2O3 陶瓷底板
*平面钝化芯片
*隔离电压3600伏
*阻断电压高达1800伏
*低正向压降
*适用于PCB焊接的引线端子
*符合 UL认证，E 148688
应用：
*直流电流设备
*脉宽逆变器的输入整流器
*脉宽逆变器的直流电源
*直流电机接地电源
*直流电源电池
标准二极管模块
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从事电力电子产品设计、制造、销售为一体的高科技企业，专业生产营销各种规格的晶闸管、整流管、可控硅模块、快恢复二极管模块、整流桥模块、固态继电器等产品。其技术力量雄厚，检测设备先进，管理体系**。产品在国内市场上享有美誉，而且**俄罗斯、韩国、东南亚、中东、东欧、南美等一些国家和地区。
本公司经营的可控硅、晶闸管模块、整流桥、二极管产品具有外形美观、性能稳定、体积小重量轻、功率损耗低、安装方便、使用安全可靠等优点。广泛地应用于电力、石油、化工、机械、纺织、治金、矿山等领域的电气设备的过载及短路保护。
公司一贯坚持“质量，用户至上，优质服务，信守合同”的宗旨，凭借着高质量的产品，良好的信誉，优质的服务，产品**全国近三十多个省、市、自治区。竭诚与国内外商家双赢合作，共同发展，共创辉煌！
优势代理，无任何中间环节德国赛米控电力电子模块；